前段时间，三星在京畿道华城工厂V1生产线举行了采用下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nm OEM产品交付仪式。三星表示与原来使用FinFET的5nm工艺相比，原来的3nm GAA工艺节点在功耗、性能和面积(PPA)方面都有不同程度的提升，面积减少16%，性能提升23%，功耗降低45%。
虽然三星信心满满，但实际上目前的3nm GAA工艺缺少客户，更重要的是通常热衷于采用新技术的移动SoC暂时没有入选。有消息称三星可能会使用3nm工艺制造Exynos 2300，或者在明年的Galaxy S23系列中使用。但据报道，由于性能不理想，Galaxy S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌第三代张量芯片也可能采用三星3nm工艺，将用于Pixel 8系列，但目前还没有消息。
近年来三星的大客户之一高通由于4nm/5nm的良率和能效问题，在新一代旗舰SoC上转投TSMC，对三星造成了相当大的打击。据Wccftech报道，高通对三星第一代3nm GAA工艺不感兴趣，但关注其进展并随时评估，可能会涉及第二代3nm GAA工艺。
据了解三星第二代3nm GAA工艺将于2024年量产。三星预示着MBCFET架构将加入第二代3nm GAA工艺，使3nm芯片面积减少35%，性能提升30%，功耗降低50%。如果产量能够保持，这样的提高可能会让高通满意。
